スパッタ法によるGaNへの不純物添加と素子応用

DOI

上野耕平

東大生研
森川創一朗

東大生研
柴原啓太

東大生研
小林篤

東大生研
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Intentional doping in GaN via sputtering and its application to nitride devices

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3078-3078, 2020-02-28

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390292240175493376
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3078
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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