ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析
書誌事項
- タイトル別名
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- Effects of Band Structure on Impact Ionization Coefficients in Wide Bandgap Semiconductors
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3166-3166, 2020-02-28
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390292240175504256
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC