パワーデバイス用GaNウエハの表面電位顕微鏡による評価(1)

DOI

内田悠貴

千葉工大工
安野光宏

千葉工大工
鈴木達己

千葉工大工
内盛瑞記

千葉工大工
山本秀和

千葉工大工

書誌事項

タイトル別名

Evaluation of GaN wafer for power devices by Kelvin probe Force Microscopy(1)

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3620-3620, 2017-03-01

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390294186615308672
DOI

10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3620
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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