シリコンウェーハの両面研磨加工におけるウェーハ平坦性向上
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- Ito Shoya
- Osaka University
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- Satake Urara
- Osaka University
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- Enomoto Toshiyuki
- Osaka University
Abstract
<p>半導体デバイスの基板材料であるシリコンウェーハには高い平坦性が求められるが,その両面研磨加工工程では,ウェーハ面内で均一な加工量分布を得ることが難しい.そのため平坦性が悪化しやすく,特に,ウェーハ半径方向に厚さむらが生じて加工後のウェーハが凸形状となることが問題となっている.本研究では,両面研磨加工におけるウェーハの平坦性向上を目的に,ウェーハ半径方向の加工量分布に対する加工条件の影響を検討した.</p>
Journal
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- Proceedings of JSPE Semestrial Meeting
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Proceedings of JSPE Semestrial Meeting 2022A (0), 394-395, 2022-08-25
The Japan Society for Precision Engineering
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390295259235348480
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
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- Abstract License Flag
- Disallowed