Si-C結合による表面再構成を用いたGeドット形成におけるGe堆積温度と堆積速度の影響に関する検討
書誌事項
- タイトル別名
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- Effect of Ge growth temperature and growth rate on Ge dots formation using surface reconstruction through Si-C binding
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 3187-3187, 2015-08-31
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390295823372847232
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC