400 GbE超のデータセンタを支える高速半導体レーザ技術

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タイトル別名
  • High-Speed Semiconductor Laser Technologies for Data Center beyond 400 GbE

抄録

近年のグローバルIPデータトラヒックの増加に対し，高速で大容量なデータ伝送を実現するために，トランシーバのデータレートは100 Gbpsから400 Gbps，更に800 Gbpsへ大容量化が進みつつある．その光源となる高速半導体レーザの研究，開発が盛んにおこなわれている．本報告では，従来のNRZ（Non Return to Zero）変調に変わって，400 GbEから導入が開始されたPAM4（4-level pulse amplitude modulation）フォーマットで動作可能な，直接変調型DFBレーザ，及び電界吸収型変調器集積DFB（EA-DFB; Electro-Absorption-modulator integrated DFB）レーザについて紹介する．EA-DFBレーザに関しては，既に400 GbE用として市場への導入が始まっている1レーンあたり100 Gbpsで動作するEA-DFBから，次世代以降に期待されている1レーンあたり200 Gbps，及び200 Gbpsを超える高速大容量動作が可能な，384 Gbps-PAM8 EA-DFBの最新技術について報告する．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390296221533615232
  • DOI
    10.14923/transelej.2022jci0016
  • ISSN
    18810217
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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