中性子転換注入GaNのキャリア補償機構

抄録

NTD-GaN中のDX様センターGeのドナーを格子間Nおよび^14Cアクセプターが補償しているため、高抵抗化の原因であることが明らかとなった。ACホール効果測定における、約960 meVの活性化エネルギーは、フェルミ準位(伝導帯下650±25 meV)以下に位置する格子間Nアクセプターより電子が熱励起されたものを観測したものである。

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  • CRID
    1390299440031725312
  • DOI
    10.15002/00030316
  • HANDLE
    10114/00030316
  • ISSN
    02860201
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • IRDB
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用可

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