書誌事項
- タイトル別名
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- Growth and Superiority of Epitaxial Graphene on SiC
- SiC ジョウ エピタキシャルグラフェン ノ セイチョウ ト ユウイセイ
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抄録
<p>グラフェンは理想的な2次元原子膜であり，その優れた電気特性から，特に高速電子デバイスなどエレクトロニクス応用に向けた研究が精力的に行われてきた．本稿では，グラフェンの合成法の一つであるSiC表面熱分解法に焦点を絞り，主に透過電子顕微鏡を用いて調べたエピタキシャル・グラフェンの成長機構，基板との界面構造，積層構造について解説する．特にSiCの極性や表面ステップ構造がグラフェン特性に及ぼす多彩性，優位性を紹介するとともに，近年の移動度を中心とした特異な電気特性，結晶異方性，ナノリボン化，ねじれ積層構造等についての話題をレビューし，今後の可能性を述べる．</p>
収録刊行物
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- 顕微鏡
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顕微鏡 50 (1), 28-38, 2015-04-30
公益社団法人 日本顕微鏡学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390564227299124480
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- NII論文ID
- 130007701745
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- NII書誌ID
- AA11917781
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- ISSN
- 24342386
- 13490958
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- NDL書誌ID
- 026555110
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
