超高密度を実現する三次元フラッシュメモリー

  • 福住 嘉晃
    (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
  • 青地 英明
    (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
  • 仁田山 晃寛
    (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

書誌事項

タイトル別名
  • Bit-cost scalable technology for ultrahigh-density flash memory
  • チョウコウミツド オ ジツゲンスル 3ジゲン フラッシュ メモリー

この論文をさがす

説明

<p>リソグラフィー技術による微細化のみに頼らずに大容量メモリーを実現するために,三次元積層メモリーの開発が活発化してきている.三次元積層メモリーの実用化のためには,大容量化と同時にビットコストを低減するために,メモリー1層当たりのコストを可能な限り抑制することが重要となる.本稿では,「積層数が増えてもリソグラフィーの回数が増えない」という概念に基づき考案されたBiCS技術,および本技術をフラッシュメモリーに適用した例について概説する.また,開発課題の一例として,メモリー素子を構成する多結晶シリコン縦型トランジスタの特性向上技術について紹介する.</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 77 (9), 1072-1077, 2008-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (7)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ