Studies on CuPc adsorption process on Si (100) surface by scanning tunneling microscopy

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  • 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)面上のCuPc吸着過程に関する研究

Abstract

高度情報化社会の急速な発展に伴い昨今のデバイスの小型化には限界がきており、<br><br>近い将来微細化技術が原子・分子レベルまで到達されると予想され新たな材料開発が必要である。<br><br>そこで我々は有機分子である銅フタロシアニンに着目した。<br><br>分子の配向、配列を制御した有機薄膜の構築には、基板表面第一層の配向制御が必要であるので、<br><br>STMを用いて銅フタロシアニンの吸着初期過程の研究を行った。

Journal

Details

  • CRID
    1390564238044661632
  • NII Article ID
    130007519310
  • DOI
    10.14886/sssj2008.2018.0_287
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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