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- 山本 真義
- 名古屋大学
書誌事項
- タイトル別名
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- Introduction: Applications Roadmap of GaN Power Semiconductor Devices
- GaNパワー半導体応用ロードマップ
- GaN パワー ハンドウタイ オウヨウ ロードマップ
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説明
<p>1.はじめに</p><p>本稿は,縦型GaNパワー半導体を考慮した各材料ベースのパワー半導体にマッチした応用分野領域の再設定と今後狙うべき大きな市場を持つ新応用分野,さらにGaNパワー半導体が目指すべきその性能の付加価値について議論を行う。また,GaNパワー半導体の性能付加価値に付随</p>
収録刊行物
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- 電気学会誌
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電気学会誌 139 (2), 76-79, 2019-02-01
一般社団法人 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390564238074519296
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- NII論文ID
- 130007587789
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- NII書誌ID
- AN10432927
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- ISSN
- 18814190
- 13405551
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- NDL書誌ID
- 029493550
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可