X線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb添加GaN中のSb原子近傍の局所構造解析
書誌事項
- タイトル別名
-
- Analysis on Local Structure around Sb Atoms in MOCVD-grown Sb-doped GaN by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements
抄録
低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 GaN1-xSbx を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 GaN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。その結果、Sb 原子近傍の動径分布関数が、GaSb 基板のものとは異なり、第一近接原子である Ga の信号も一致しなかったことから、Sb 添加 GaN 中のほとんどの Sb は GaN 中の V 族元素の N 原子を置換していないと考えられる。
収録刊行物
-
- SPring-8/SACLA利用研究成果集
-
SPring-8/SACLA利用研究成果集 8 (1), 41-44, 2020-01-22
公益財団法人 高輝度光科学研究センター
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390568456352758272
-
- NII論文ID
- 130007969629
-
- ISSN
- 21876886
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可