X線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb添加GaN中のSb原子近傍の局所構造解析

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Analysis on Local Structure around Sb Atoms in MOCVD-grown Sb-doped GaN by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements

抄録

低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 GaN1-xSbx を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 GaN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。その結果、Sb 原子近傍の動径分布関数が、GaSb 基板のものとは異なり、第一近接原子である Ga の信号も一致しなかったことから、Sb 添加 GaN 中のほとんどの Sb は GaN 中の V 族元素の N 原子を置換していないと考えられる。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390568456352758272
  • NII論文ID
    130007969629
  • DOI
    10.18957/rr.8.1.41
  • ISSN
    21876886
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ