SiC結晶中の単一光子源を利用した量子デバイス

DOI Web Site
  • 大島 武
    国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構

書誌事項

タイトル別名
  • Quantum devices based on single photon sources in silicon carbide
  • SiC ケッショウ チュウ ノ タンイツ ミツコ ゲン オ リヨウ シタ リョウシ デバイス

この論文をさがす

抄録

<p>サイバー空間とフィジカル空間を高度に融合したSociety 5.0ではIoTで全ての人とモノが自由につながり，さまざまな知識や情報が共有される．この達成には，ばく大な量のデータを安全に通信し，高速処理する技術の開発が不可欠であり，エレクトロニクスを中心とした既存技術を凌駕(りょうが)する技術の創出が必要となる．量子コンピュータや量子暗号通信といった量子技術はその解決策として大いに期待され，実現に向け，量子ビットや量子センサの研究が世界的に活発に行われている．ワイドバンドギャップ半導体中に存在する単一光子源として振る舞う結晶欠陥は，その候補の1つである．本稿ではワイドバンドギャップ半導体の1つである炭化ケイ素（SiC）に着目し，単一光子源として振る舞う欠陥の種類や特徴，陽子線描画技術（PBW）といった放射線を活用した単一光子源の生成方法，およびデバイス化へ向けた研究を紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 90 (6), 351-354, 2021-06-05

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ