表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)

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抄録

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富山大学ベンチャービジネスラボラトリー年報, 平成19年度, 2007, Page 42-45

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