書誌事項
- タイトル別名
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- Transport Mechanism of Point Defects in Silicon Crystals estimated by Molecular Dynamics
- トウアツカ ニ オケル シリコン チュウ ノ テン ケッカン ノ ユソウ ゲンショウ
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抄録
Molecular dynamics simulation of vacancy and self-interstitial atoms in silicon crystals was carried out to investigate diffusion mechanism and coefficients of vacancy and self-interstitial atoms. Pressure dependence of diffusion coefficients of the point defects is not significant, although temperature dependence is remarkably large. Large deformation of lattice was observed in an interstitial case, while small lattice distortion was obtained in a vacancy case.
収録刊行物
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- 九州大学機能物質科学研究所報告
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九州大学機能物質科学研究所報告 13 (2), 87-91, 1999-12-24
九州大学機能物質科学研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390572174788963840
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- NII論文ID
- 110006177562
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- NII書誌ID
- AN10060378
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- ISSN
- 09143793
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- DOI
- 10.15017/7913
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- HANDLE
- 2324/7913
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- NDL書誌ID
- 4948977
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- IRDB
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用可