Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO<sub>2</sub>の薄膜化とMFSFETへの応用
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- 林 将生
- 東工大
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- 片岡 正和
- 東工大
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- Kim Min Gee
- 東工大
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- 大見 俊一郎
- 東工大
書誌事項
- タイトル別名
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- Fabrication of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO<sub>2</sub> utilizing Hf interfacial layer
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 899-899, 2020-08-26
公益社団法人 応用物理学会