不純物添加GaNの位置選択エピ成長技術の開発

DOI

上野耕平

東大生研
今別府秀行

東大生研
小林篤

東大生研
太田実雄

東大生研 JST-PRESTO
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Selective epitaxial growth of doped GaN by pulsed sputtering

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3370-3370, 2017-08-25

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390575418087105664
DOI

10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3370
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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