エピタキシャル単結晶成長技術により大きく発展する化合物半導体デバイス

DOI

抄録

<p>半導体の材料としてSiは最も有名であるが，GaAsやGaNなどの化合物半導体はSiで達成できない発光デバイスや高性能電子デバイスを実現できる。この化合物半導体を形成する結晶成長技術として有機金属気相成長法を紹介し，今後世界を大きく変える化合物半導体デバイスも紹介する。</p>

収録刊行物

  • 化学と教育

    化学と教育 69 (11), 488-491, 2021-11-20

    公益社団法人 日本化学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390575418100102784
  • DOI
    10.20665/kakyoshi.69.11_488
  • ISSN
    24241830
    03862151
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ