Ｘ線異常散乱分光を用いた半導体材料評価（2）

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タイトル別名
  • Evaluation of Semiconductors using Anomalous X-ray Scattering (2)

抄録

窒化物半導体 LED（Light emitting diode）の特性向上において、発光層である InGaN 層の局所構造を把握することは重要であり、このうち In 原子の局所構造の解析は蛍光 XAFS（X-ray absorption fine structure）法によって進められてきた。一方、InGaN 層中の Ga 原子は初期成長層である GaN バッファー層中の Ga 原子に起因する蛍光Ｘ線の影響が非常に大きく、通常の蛍光 XAFS 法で InGaN 層中の Ga 原子の XAFS 解析を行うことは困難であった。そこで今回 InGaN 層の Bragg 反射に対して DAFS（Diffraction anomalous fine structure）法を適用することにより、InGaN 層中の Ga 原子の単独での局所構造解析を試みたので報告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390576734221671424
  • DOI
    10.18957/rr.11.1.85
  • ISSN
    21876886
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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