バナジウム酸化物薄膜デバイスの電圧印加中のオペランドXAFS測定

DOI Web Site
  • 和達 大樹
    東京大学物性研究所 兵庫県立大学大学院物質理学研究科 大阪大学レーザー科学研究所
  • Yujun ZHANG
    東京大学物性研究所 兵庫県立大学大学院物質理学研究科
  • 瀬戸山 寛之
    九州シンクロトロン光研究センター
  • 堀田 育志
    兵庫県立大学大学院工学研究科
  • 根元 亮一
    兵庫県立大学大学院工学研究科

書誌事項

タイトル別名
  • Operando XAFS Measurements of V-Oxide Thin-Film Devices Under Electric Voltages
  • バナジウム サンカブツ ハクマク デバイス ノ デンアツ インカ チュウ ノ オペランド XAFS ソクテイ

この論文をさがす

抄録

<p>本研究では，シリコン基板上に成長させたペロブスカイト型のバナジウム酸化物La1−xSrxVO3の薄膜に対するXAFS（X線吸収微細構造）測定を電圧印加下のオペランドで行った．これらの物質はバンド絶縁体ではなく電子同士のクーロン反発によるモット絶縁体となっている．V-K端のXAFS測定と電流電圧特性の測定を同時に行った．バナジウム酸化物とシリコンの界面にエネルギー障壁があることを活かし，電圧印加に伴うバナジウムの価数変化が起こることが期待された．しかし，0－60 Vの印加によりV-K端のXAFSスペクトルの変化はほとんど観測されなかった．この結果は，電極の大きさに対しVの価数変化の領域が小さい，あるいはキャリア数変化が下部界面の2 nm程度にとどまり，全体のVの価数を変えるほど大きくない可能性を示している．</p>

収録刊行物

  • Ｘ線分析の進歩

    Ｘ線分析の進歩 52 (0), 161-166, 2021-03-31

    公益社団法人 日本分析化学会　X線分析研究懇談会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ