分子線エピタキシ法を用いた窒化物半導体結晶成長の最前線

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書誌事項

タイトル別名
  • Frontiers of nitride semiconductor crystal growth using molecular beam epitaxy

抄録

<p>分子線エピタキシ法（MBE）は，有機金属気相成長法，ハイドライド気相成長法と並ぶ窒化物半導体薄膜結晶成長手法の1つとして，国内外で長きにわたり研究開発が進められている．本稿では，低温成長や窒素プラズマ源を特徴とするRF-MBE法による窒化物半導体結晶成長の筆者らの最近の成果として，成長用基板として再び注目されているScAlMgO4基板上へのGaN直接成長，窒素プラズマ照射InN表面上へのInN再成長による貫通転位密度低減，グラフェンを用いたInNリモートエピタキシについて紹介をしていく．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 92 (10), 622-626, 2023-10-01

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390579134186045184
  • DOI
    10.11470/oubutsu.92.10_622
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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