分子線エピタキシ法を用いた窒化物半導体結晶成長の最前線
書誌事項
- タイトル別名
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- Frontiers of nitride semiconductor crystal growth using molecular beam epitaxy
抄録
<p>分子線エピタキシ法(MBE)は,有機金属気相成長法,ハイドライド気相成長法と並ぶ窒化物半導体薄膜結晶成長手法の1つとして,国内外で長きにわたり研究開発が進められている.本稿では,低温成長や窒素プラズマ源を特徴とするRF-MBE法による窒化物半導体結晶成長の筆者らの最近の成果として,成長用基板として再び注目されているScAlMgO4基板上へのGaN直接成長,窒素プラズマ照射InN表面上へのInN再成長による貫通転位密度低減,グラフェンを用いたInNリモートエピタキシについて紹介をしていく.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 92 (10), 622-626, 2023-10-01
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390579134186045184
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可