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【2023年10月31日掲載】CiNii Dissertations及びCiNii BooksのCiNii Researchへの統合について
新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
Te化法によるGeSbTe膜の高アスペクト比ホール内組成制御
DOI
須田 耕平
明大
堀池 喬文
明大
浜田 せいち
明大
宇納 知寛
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町田 英明
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石川 真人
気相成長
須藤 弘
気相成長
有馬 進
東京エレクトロン
河野 有美子
東京エレクトロン
大下 祥雄
豊田工大
小椋 厚志
明大
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 (0), 2987-2987, 2012-02-29
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
16p-GP5-4
半導体A(シリコン)
Siプロセス技術
Te化法
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390579599233128320
DOI
10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_2987
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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