化合物半導体ナノワイヤの新材料開拓

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タイトル別名
  • Exploring novel compound semiconductor nanowires

抄録

<p>分子線エピタキシャル結晶成長により，シリコン基板上に大容量の化合物半導体GaAs系ナノワイヤを合成した．また，窒素・ビスマスを含む混晶量子構造，自己形成微細構造，準安定相利用，酸化物への材質変換などを駆使し，新しいナノワイヤの機能を探求した．これらが示した高効率な可視光吸収，可視から赤外までを網羅した発光，非線形光学効果などから，多彩な機能発現の展望を示す．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 93 (1), 24-28, 2024-01-01

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390580143069415552
  • DOI
    10.11470/oubutsu.93.1_24
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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