電流検出ESRによるSiC中の欠陥検出のための＋<i>α</i> の研究技術

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書誌事項

タイトル別名
  • Experimental details of electrical detection of electron-spin-resonance (ESR) spectroscopy on semiconductor devices
  • An example of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (4H-SiC MOSFETs)

抄録

<p>「半導体の点欠陥を同定したい」といったときに有力な手段となるのが電子スピン共鳴（ESR）分光である．そのESRを半導体デバイス実物で測れるようにしたのが電流検出ESR（EDMR）となる．本稿では，筆者のEDMRシステムのかなり細かいノウハウと，EDMRを利用してMOSFETデバイス内の点欠陥を検出・同定した例を紹介したい．本稿によりEDMR技術の内情や可能性を感じてもらえれば幸いである．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 93 (2), 120-124, 2024-02-01

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390580472188597376
  • DOI
    10.11470/oubutsu.93.2_120
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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