局在表面プラズモン共鳴による高密度ドープInAs/GaAs量子ドットにおける電場増強効果

DOI Web Site Web Site 参考文献20件
  • 川上 瑞人
    神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
  • 原田 幸弘
    神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
  • 朝日 重雄
    神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
  • 喜多 隆
    神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Electric Field Enhancement Effect by Localized Surface Plasmon Resonance in Heavily-Doped InAs/GaAs Quantum Dots
  • キョクザイヒョウメン プラズモン キョウメイ ニ ヨル コウミツド ドープ InAs/GaAs リョウシ ドット ニ オケル デンバ ゾウキョウ コウカ

この論文をさがす

抄録

<p>We theoretically studied the electron density dependence of the electric field enhancement effect caused by the localized surface plasmon resonance in heavily-doped InAs/GaAs quantum dots (QDs). The resonant wavelength of the field enhancement factor in spherical and semi-ellipsoid QDs shows a shift toward shorter wavelengths with increasing the electron density at mid-to-near infrared wavelengths. Semi-ellipsoid QDs have a resonance at a longer wavelength than spherical QDs and show stronger electric field enhancement. Furthermore, the multiple resonant wavelengths appear in semi-ellipsoid InAs/GaAs QDs due to the lowered symmetry, which is promising for the electric field enhancement at the infrared wavelength for increasing the energy conversion efficiency of photovoltaics.</p>

収録刊行物

  • 材料

    材料 73 (2), 178-182, 2024-02-15

    公益社団法人 日本材料学会

参考文献 (20)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ