サブ大気圧SF<sub>6</sub>プラズマによるSiCウエハのダイシング加工

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  • RF電力の加工速度への影響

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<p>サブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチングをSiCデバイス作成時のダイシング工程に適用することを提案している.このプラズマを用いたダイシングは100µm厚のウエハを切断することを目標としているが,加工の進行に伴い加工速度が低下することがわかった.この手法を実用化するには加工速度の向上が急務である.そこで本研究ではRF電力を増大させ,加工速度への影響を調査した.</p>

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