高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究

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タイトル別名
  • A Study of Complementary Logic Circuits Using SiC JFETs for Operation in High-Temperature Environments

抄録

本論文は，高温動作集積回路の実現を目指した炭化ケイ素（SiC）相補型の接合型電界効果トランジスタ（CJFET）の研究について，最近の成果を中心にまとめたものである．イオン注入による半絶縁性SiC基板への局所的ドーピング技術について検討したのち，JFETの作製を行った．シリコン集積回路では原理上不可能である350℃におけるSiC CJFET論理回路動作を実証した．集積回路の設計に必要不可欠である電子回路シミュレータ用のSiC JFETデバイスモデルを構築し，作製したCJFET論理回路の特性をシミュレータ上でよく再現できることを示した．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390581070826587776
  • DOI
    10.14923/transelej.2023jci0015
  • ISSN
    18810217
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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