3D In-Situ Observation of Transition Process from Facet to Dendrite of Silicon by Using Time-Resolved Computed Tomography (4D-CT)

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  • 4D-CT によるシリコンのファセット-デンドライト遷移過程の三次元その場観察

Description

本研究では時間分解の放射光Ｘ線 CT を用いて、シリコン融液中における平滑界面からファセット成長へ、さらにはデンドライト成長へと遷移する素過程のその場観察を試みた。その結果、従来の二次元的な観察では解釈できなかった、<112> 方向に成長するＨ型のファセットデンドライトの時間発展が明らかとなった。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390584818415390976
  • DOI
    10.18957/rr.13.1.1
  • ISSN
    21876886
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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