4D-CT によるシリコンのファセット-デンドライト遷移過程の三次元その場観察
書誌事項
- タイトル別名
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- 3D In-Situ Observation of Transition Process from Facet to Dendrite of Silicon by Using Time-Resolved Computed Tomography (4D-CT)
説明
本研究では時間分解の放射光Ｘ線 CT を用いて、シリコン融液中における平滑界面からファセット成長へ、さらにはデンドライト成長へと遷移する素過程のその場観察を試みた。その結果、従来の二次元的な観察では解釈できなかった、<112> 方向に成長するＨ型のファセットデンドライトの時間発展が明らかとなった。
収録刊行物
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- SPring-8/SACLA利用研究成果集
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SPring-8/SACLA利用研究成果集 13 (1), 1-4, 2025-02-28
公益財団法人 高輝度光科学研究センター
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390584818415390976
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- ISSN
- 21876886
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
