格子整合系GaAs/AlGaAs量子ドットの液滴エピタキシーによる作製と光学特性評価

DOI Web Site 被引用文献1件 参考文献39件
  • 小口 信行
    物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
  • 渡邉 克之
    物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所 現所属：東京大学生産技術研究所
  • 間野 高明
    物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
  • 黒田 隆
    物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
  • 迫田 和彰
    物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication of lattice-matched quantum dot systems of GaAs/AlGaAs by droplet epitaxy and characterization of their optical properties
  • コウシ セイゴウケイ GaAs AlGaAs リョウシ ドット ノ エキテキ エピタキシー ニ ヨル サクセイ ト コウガク トクセイ ヒョウカ

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説明

<p>量子ドットの自己形成手法として，筆者らが提案し「液滴エピタキシー」と名づけた手法と，この手法により作製された量子ドットの光学的性質の解明に関する最近の研究成果を，格子整合系であるGaAs/AlGaAsの場合を例にとって紹介する．この方法によれば，ひずみ系にしか適用できないS-K型薄膜成長機構を利用する通常の方法とは異なり，ひずみ系，格子整合系を問わず，多くの材料において量子ドットを作製することができ，またぬれ層のない量子ドットを作製することもできる．さらに，量子ドットの形状もピラミッド状あるいはリング状などに制御することができる．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 74 (3), 343-348, 2005-03-10

    公益社団法人 応用物理学会

被引用文献 (1)*注記

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参考文献 (39)*注記

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