書誌事項
- タイトル別名
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- Development of ultraviolet light-emitting diodes based on zinc oxide and its materials science
- サンカ アエン シガイ LED ノ カイハツ ト ソノ ザイリョウ カガク
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抄録
<p>酸化亜鉛（ZnO）系ヘテロ接合を分子線エピタキシー法で成長し，紫外発光ダイオードを作製した．薄膜の高純度化・高品質化のため，ZnO基板の清浄化，基板ホルダ材料の選定，基板温度計測方法の確立などに注意を払った．窒素ドープ源としてアンモニアを，ZnO基板としてZn極性面を採用することで，ワイドギャップ(MgZn)Oのp型化に成功し，30mAの注入電流で70μWに達するバンド端近傍の紫外（380nm）発光を得た．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 80 (4), 314-318, 2011-04-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702287438592
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- NII論文ID
- 10027969840
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 11069189
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可