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- フォルソン ジョセフ
- マックスプランク固体物理学研究所
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- 小塚 裕介
- 東京大学 大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター
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- 塚﨑 敦
- 東北大学 金属材料研究所
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- 川﨑 雅司
- 東京大学 大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター
書誌事項
- タイトル別名
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- Two-dimensional quantum transport in high-quality ZnO heterointerfaces
- サンカ アエン ヘテロ カイメン ノ コウヒンシツカ ト 2ジゲン リョウシ ユソウ ゲンショウ
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説明
<p>酸化亜鉛(ZnO)はワイドギャップ半導体の1つとして,透明導電膜や紫外発光素子へ向けた研究が精力的に行われてきた.半導体的な性質を引き出すために,清浄かつ高品質な界面形成技術の開発を進める中で,極めて高い移動度を示す2次元電子の形成という別の側面で大きく研究が発展した.最近では,ZnO膜中に混入する不純物の劇的な低下により,試料界面の清浄度を評価する指標としての2次元電子の電子散乱頻度は,長い間最も清浄な半導体界面と考えられているヒ化ガリウムに匹敵するレベルに達した.本稿では,ZnO膜の高品質化とそれに伴って観測された興味深い量子輸送現象を紹介し,ZnO2次元系を舞台とする,量子ホール効果の新しい物理と量子情報素子への将来展望を紹介する.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 84 (11), 984-990, 2015-11-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702287528064
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- NII論文ID
- 130007718725
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 026839956
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可