SiC高周波電子デバイスにおける最近の研究動向

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タイトル別名
  • Recent developments in SiC high-frequency devices
  • 最近の展望 SiC高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
  • サイキン ノ テンボウ SiC コウシュウハ デンシ デバイス ニ オケル サイキン ノ ケンキュウ ドウコウ

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抄録

<p>SiCは高出力・高周波デバイスの半導体材料として有望であり，これを用いたMESFETやSITは，移動体通信の基地局用増幅器やレーダーなどへ応用が期待されている．われわれはSiC-MESFETを作製して，高周波デバイスとしての性能評価を行っている．ここでは，試作したMESFETの静特性や高周波特性を中心に，これまでにほかで報告されているSITやJFET，BJT，インパットダイオードなどのSiC高周波デバイスの開発状況を紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 73 (3), 351-354, 2004-03-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (28)*注記

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