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- 江川 孝志
- 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
書誌事項
- タイトル別名
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- Heteroepitaxial growth of GaN on Si substrate and its application to devices
- Si キバン ジョウ エ ノ GaNタンケッショウ ノ セイチョウ ト デバイス オウヨウ
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抄録
<p>有機金属気相成長法を用いて成長したSi基板上AlGaN/GaN HEMTにおいて，多層膜構造を用いることによりGaN層の歪【ひずみ】が緩和され厚膜化が可能になった．その結果，総膜厚が約9μmのAlGaN/GaN HEMT構造が成長でき，デバイスの耐圧が改善された．また，耐圧の改善にはリアクタ内の残留GaとSi基板との反応に起因するエッチピットの発生を抑制する必要がある．本研究成果は，パワーデバイスとして家電製品や電気自動車などのインバータへ応用され，高効率半導体デバイスとして期待される．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 81 (6), 485-488, 2012-06-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702289144576
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- NII論文ID
- 10030594971
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 023822601
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可