ワイドギャップ半導体エレクトロニクス

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  • Widegap semiconductor electronics

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抄録

<p>SiCやC（ダイヤモンド），GaNなどのIII-V族窒化物半導体，さらにZnOのようなII-VI族半導体など，いわゆるワイドギャップ半導体にはSiやGaAsにはない優れた特長があるため従来の材料ではカバーできない領域のエレクトロニクスへの応用が期待されている．ここではワイドギャップ半導体の結晶成長，デバイス技術，そしてシステム応用に分類し，将来に向けた技術潮流を1枚のメインロードマップに示した．さらにワイドギャップ半導体の優位性を発揮できる領域として特に情報通信エレクトロニクス，エネルギーエレクトロニクス，耐環境・極限エレクトロニクス，生体応用・医療エレクトロニクスの4領域を選んでサブロードマップで示した．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 79 (8), 712-713, 2010-08-10

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390845702290794496
  • NII論文ID
    10026494756
  • NII書誌ID
    AN00026679
  • DOI
    10.11470/oubutsu.79.8_712
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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