ミスト化学気相成長法を用いた大気圧薄膜形成と酸化物機能デバイスのグリーンプロセス化

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  • 川原村 敏幸
    高知工科大学 システム工学群 高知工科大学 総合研究所 ナノテクノロジー研究センター
  • 古田 守
    高知工科大学 環境理工学群 高知工科大学 総合研究所 ナノテクノロジー研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Mist chemical vapor deposition for thin-film deposition at atmospheric pressure to move toward a green process for oxide-based electronics
  • ミスト カガク キソウ セイチョウホウ オ モチイタ タイキアツ ハクマク ケイセイ ト サンカブツ キノウ デバイス ノ グリーンプロセスカ

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抄録

<p>ワイドギャップ半導体はグリーンイノベーションを担う重要な材料である．大気圧薄膜形成プロセスは，材料・デバイスプロセスの両面から，これまでの真空プロセスと比較して，製造エネルギーに革新をもたらすグリーンプロセスとして期待されている．酸化物ワイドギャップ材料は，大気圧プロセスとの整合性に優れ，溶液原料をベースとした大気圧薄膜形成に関する研究が活発化している．本稿では，現在，我々が取り組んでいる溶液原料を用いた大気圧成膜技術であるミスト化学気相成長法とその酸化物薄膜形成，ならびに本手法を用いて大気圧プロセスにより作製したInGaZnOx薄膜トランジスタに関する最近の研究を紹介し，大気圧プロセスの可能性を示す．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 83 (9), 747-751, 2014-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

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