窒化ガリウム劈開表面のSTM観察
書誌事項
- タイトル別名
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- Observation of the cleaved surface of GaN by scanning tunneling microscopy
抄録
窒化ガリウム(GaN)はバンドギャップが約3.4eVのワイドギャップ半導体であり、 パワーデバイス用の新材料として注目されている。しかし、GaN基板中の原子レベルの欠陥についてはあまりよく理解されていない。本研究では、GaN基板の劈開表面(m面)のSTM観察を行い、第一原理計算による欠陥構造の解釈を試みた。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 306-, 2018
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845713022397312
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- NII論文ID
- 130007519249
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可