NbをドープしたWSe<sub>2</sub>原子層のSTM/STS観察

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タイトル別名
  • STM/STS observation of Nb-doped WSe<sub>2</sub> atomic layer

抄録

<p>MoS2やWSe2などの遷移金属ダイカルコゲナイド原子層(以下TMDC)は単層で優れた半導体特性を示すことから,TMDCをベースとした超微細デバイスの実現が期待されている。</p><p></p><p>本研究では,作成方法の異なるNbドーピングWSe2試料について, STM・STSを用いてNbドーパントの観察及び電子状態の測定を行った。STSの結果から電子状態の変化を確認し,Nbが負に帯電していることを解明した。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390849931315368320
  • NII論文ID
    130007959277
  • DOI
    10.14886/jvss.2020.0_110
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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