NbをドープしたWSe<sub>2</sub>原子層のSTM/STS観察
書誌事項
- タイトル別名
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- STM/STS observation of Nb-doped WSe<sub>2</sub> atomic layer
説明
<p>MoS2やWSe2などの遷移金属ダイカルコゲナイド原子層(以下TMDC)は単層で優れた半導体特性を示すことから,TMDCをベースとした超微細デバイスの実現が期待されている。</p><p></p><p>本研究では,作成方法の異なるNbドーピングWSe2試料について, STM・STSを用いてNbドーパントの観察及び電子状態の測定を行った。STSの結果から電子状態の変化を確認し,Nbが負に帯電していることを解明した。</p>
収録刊行物
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- 日本表面真空学会学術講演会要旨集
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日本表面真空学会学術講演会要旨集 2020 (0), 110-, 2020
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390849931315368320
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- NII論文ID
- 130007959277
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- ISSN
- 24348589
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可