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Siドーピングによるエピタキシャルc-BN薄膜の伝導性制御
DOI
平間 一行
NTT物性研
谷保 芳孝
NTT物性研
山本 秀樹
NTT物性研
熊倉 一英
NTT物性研
書誌事項
タイトル別名
Control of electrical conductivity for c-BN films by Si doping
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 3358-3358, 2018-09-05
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
21p-146-17
結晶工学
III-V族窒化物結晶
成長（MBE, スパッタリング）
立方晶窒化ホウ素
Siドーピング
イオンビームアシストMBE
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390856384292236032
DOI
10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3358
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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