RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInON膜の作製-Ar分圧依存性-
Journal
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- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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JSAP Annual Meetings Extended Abstracts 2013.2 (0), 4444-4444, 2013-08-31
The Japan Society of Applied Physics
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390859989725775872
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- ISSN
- 24367613
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC