電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発(第9報)
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- Kinoshita Ryosuke
- Osaka University
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- Cao Jianjie
- Osaka University
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- Sun Rongyan
- Osaka University
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- Arima Kenta
- Osaka University
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- Yamamura Kazuya
- Osaka University
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- Aoki Kazufumi
- Production Eng Dept., DENSO CORPORATION
Bibliographic Information
- Other Title
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- 電解液の液性における4H-SiC(0001)の酸化特性の評価
Abstract
<p>単結晶SiCは、高出力・高周波デバイス用次世代半導体材料として有望視されており、SiCの高能率研磨技術としてスラリーレス電気化学機械研磨(ECMP)が提案されている。本報ではECMPで用いる4H-SiC(0001)に対して、NaClとKOHの2種類の異なる液性の電解液について、定電流モードで同時間酸化実験を行って、電解液の違いによる表面酸化特性を評価した。</p>
Journal
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- Proceedings of JSPE Semestrial Meeting
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Proceedings of JSPE Semestrial Meeting 2023S (0), 775-775, 2023-03-01
The Japan Society for Precision Engineering
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390860255283204480
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
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- Abstract License Flag
- Disallowed