電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発（第10報）
書誌事項
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- パルス幅変調電圧の印加により４H-SiC(0001)の研磨レートの向上
抄録
<p>SiCは優れた電気特性を有するため，パワーデバイス半導体材料として注目されている.我々はSiCに対する高能率研磨法としてスラリーレス電気化学機械研磨法（ECMP）を開発している.本報では、パルス幅変調電圧を用いたECMPにおける4H-SiC（0001）の研磨特性を調査した.パルス波電圧の周波数の最適化により,従来の一定電圧を連続的に印加した場合と比較して,材料除去速度が1.35倍向上した.</p>
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2023S (0), 776-776, 2023-03-01
公益社団法人 精密工学会