短時間交互加工型プラズマCMP装置の開発とSiC・GaN基板に対する加工特性の評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Development of the short-time alternation processing plasma fusion CMP equipment and evaluation of processing characteristics to GaN and SiC substrates
抄録
<p>難加工材料である次世代半導体SiC・GaN基板に対して化学機械研磨（CMP）の高効率化のためのプラズマCMP加工を検討した。プラズマ照射とCMPの短時間加工交互基礎型装置を開発し、GaNおよびSiC基板に対しHeプラズマCMPを行った。通常CMP加工効率と比較して約5倍の加工効率を得られた。HeからArに変更した場合でも同程度の加工効率向上を確認した。</p>
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2023S (0), 799-800, 2023-03-01
公益社団法人 精密工学会