テラヘルツ波検出用光伝導アンテナ開発に向けた GaAsBi 成長

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タイトル別名
  • Growth of GaAsBi for the development of photoconductive antennas for terahertz wave detection

抄録

<p>ビスマス（Bi）系III-V族半導体半金属混晶（以降，Bi系III-V族半導体）は，元来低温成長が必要である．本研究では，その成長条件とBi系III-V族半導体が有する物性の両方を活用し，光通信帯光源が利用可能なテラヘルツ波検出用光伝導アンテナへの応用を目的としている．そのための分子線エピタキシ法を用いたGaAs1-xBixの低温成長に関する研究成果を紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 92 (10), 617-621, 2023-10-01

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390860609162779904
  • DOI
    10.11470/oubutsu.92.10_617
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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