プロトン照射GaNにおける誘起欠陥 : 弾性反跳分析・熱刺激電流法による評価

DOI HANDLE

抄録

プロトン照射によりキャリア濃度が10^15cm^-3と約3桁下がったことから、プロトン照射による誘起欠陥によるものと考えられる。また水素濃度はプロトン照射後ほとんど変化がなかったことから、キャリア濃度は水素によって影響されないことが考えられる。P_1(イオン化エネルギー173meV)、P_2(251meV)、P_3(330meV)の3つのトラップがTSC測定により算出された。P_1のピーク強度はP_2およびP_3よりも非常に大きいことから、プロトン照射により主にN原子空孔とわずかなGa原子空孔が生成されると考えられる。GaN内のGaの1/1000のGa変位濃度がRBS/チャネリング測定により観測され、P_2、P_3に起因すると考えられる。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390862389985150080
  • DOI
    10.15002/00030305
  • HANDLE
    10114/00030305
  • ISSN
    02860201
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • IRDB
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用可

問題の指摘

ページトップへ