プロトン照射GaNにおける誘起欠陥 : 弾性反跳分析・熱刺激電流法による評価

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Abstract

プロトン照射によりキャリア濃度が10^15cm^-3と約3桁下がったことから、プロトン照射による誘起欠陥によるものと考えられる。また水素濃度はプロトン照射後ほとんど変化がなかったことから、キャリア濃度は水素によって影響されないことが考えられる。P_1(イオン化エネルギー173meV)、P_2(251meV)、P_3(330meV)の3つのトラップがTSC測定により算出された。P_1のピーク強度はP_2およびP_3よりも非常に大きいことから、プロトン照射により主にN原子空孔とわずかなGa原子空孔が生成されると考えられる。GaN内のGaの1/1000のGa変位濃度がRBS/チャネリング測定により観測され、P_2、P_3に起因すると考えられる。

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