Abstract
プロトン照射によりキャリア濃度が10^15cm^-3と約3桁下がったことから、プロトン照射による誘起欠陥によるものと考えられる。また水素濃度はプロトン照射後ほとんど変化がなかったことから、キャリア濃度は水素によって影響されないことが考えられる。P_1(イオン化エネルギー173meV)、P_2(251meV)、P_3(330meV)の3つのトラップがTSC測定により算出された。P_1のピーク強度はP_2およびP_3よりも非常に大きいことから、プロトン照射により主にN原子空孔とわずかなGa原子空孔が生成されると考えられる。GaN内のGaの1/1000のGa変位濃度がRBS/チャネリング測定により観測され、P_2、P_3に起因すると考えられる。
Journal
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- 法政大学イオンビーム工学研究所報告
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法政大学イオンビーム工学研究所報告 36 12-15, 2017-02-15
法政大学イオンビーム工学研究所
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390862389985150080
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- HANDLE
- 10114/00030305
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- ISSN
- 02860201
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- IRDB
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- Abstract License Flag
- Allowed