Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>積層ゲート絶縁膜への窒素添加による4H-SiC MISデバイスのフラットバンド電圧シフトの抑制
Journal
-
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
-
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts 2010.1 (0), 3563-3563, 2010-03-03
The Japan Society of Applied Physics
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1390862400849510272
-
- ISSN
- 24367613
-
- Text Lang
- ja
-
- Data Source
-
- JaLC
