Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>積層ゲート絶縁膜への窒素添加による4H-SiC MISデバイスのフラットバンド電圧シフトの抑制
Journal
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- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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JSAP Annual Meetings Extended Abstracts 2010.1 (0), 3563-3563, 2010-03-03
The Japan Society of Applied Physics
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390862400849510272
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- ISSN
- 24367613
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC