低エネルギー逆光電子分光によるTa<sub>2</sub>NiSe<sub>5</sub>の伝導帯の直接観測

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タイトル別名
  • Measuring the conduction band of Ta<sub>2</sub>NiSe<sub>5</sub> using low energy inverse photoelectron spectroscopy

抄録

<p>Ta2NiSe5は励起子絶縁体の候補である。既に価電子帯端の低温での低エネルギーシフトが報告されており、伝導帯の観測が切望されている。本研究では低エネルギー逆光電子分光法で伝導帯を直接観測した。フェルミ準位から0.55 eVに観測されたバンドは80 Kでもエネルギーが変化しなかった。これは、従来の励起子絶縁体とは異なり、バンドギャップが強い電子正孔相互作用により開いた状態であるという描像と整合する。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1391412881268818432
  • NII論文ID
    130007959320
  • DOI
    10.14886/jvss.2020.0_135
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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