β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>単結晶の角度分解カソードルミネッセンスによる欠陥解析

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Defect analysis of β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> single crystals using of angle-resolved cathodoluminescence

抄録

<p>ワイドギャップ半導体Ga2O3は次世代パワーデバイス用材料の有力候補である。しかし製品化には欠陥密度低減が必要で、それには欠陥の由来を明らかにする必要がある。我々は角度分解カソードルミネッセンスを開発し、Ga2O3の欠陥の深さ分布を調べた。その結果、高表面感度の低視射角電子線照射で赤色発光ピーク強度が増加することを見出した。これより赤色発光の原因となる欠陥が表面に多く存在することが明らかになった。</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1391412881268933120
  • NII論文ID
    130007959505
  • DOI
    10.14886/jvss.2020.0_85
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ