β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>単結晶の角度分解カソードルミネッセンスによる欠陥解析
書誌事項
- タイトル別名
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- Defect analysis of β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> single crystals using of angle-resolved cathodoluminescence
抄録
<p>ワイドギャップ半導体Ga2O3は次世代パワーデバイス用材料の有力候補である。しかし製品化には欠陥密度低減が必要で、それには欠陥の由来を明らかにする必要がある。我々は角度分解カソードルミネッセンスを開発し、Ga2O3の欠陥の深さ分布を調べた。その結果、高表面感度の低視射角電子線照射で赤色発光ピーク強度が増加することを見出した。これより赤色発光の原因となる欠陥が表面に多く存在することが明らかになった。</p>
収録刊行物
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- 日本表面真空学会学術講演会要旨集
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日本表面真空学会学術講演会要旨集 2020 (0), 85-, 2020
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1391412881268933120
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- NII論文ID
- 130007959505
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- ISSN
- 24348589
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可